STB80NF55-06T4 vs STB80NF55-08AG So sánh

So sánh chi tiết song song của STB80NF55-06T4 bằng STMicroelectronics và STB80NF55-08AG bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

STMicroelectronics
STB80NF55-06T4 STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 - 80A, 55V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-06T4 ✓ Hoạt động
STMicroelectronics
STB80NF55-08AG STB80NF55-08AG - 55V 80A Automotive N-Channel MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-08AG - 55V 80A Automotive N-Channel MOSFET | STMicroelectronics

STB80NF55-08AG ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số STB80NF55-06T4 STB80NF55-08AG
Thương hiệu STMicroelectronics STMicroelectronics
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 80 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 320 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.5 mΩ (typ), 8 mΩ (max) —
Gate Charge (Qg) 80 nC (typ) [DATA_NEEDED: gate charge value]
Input Capacitance (Ciss) 4500 pF (typ) [DATA_NEEDED: input capacitance value]
Output Capacitance (Coss) 700 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 250 pF (typ) —
Power Dissipation (PD) 300 W 300 W (Tc)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +175°C -55°C to +175°C
Hộp D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 80 A (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) — 6.5 mΩ typ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage value]
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Grade — AEC-Q101 qualified
Technology — STripFET

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá