ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil ISC300N20NM6ATMA1 dari Infineon dan ISC151N08NM6ATMA1 dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum ISC300N20NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 200V —
Tipe Transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 6.5 A —
Power Dissipation (PD) at TC 136 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 27 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
Paket PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 FL
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6
Operating Mode Enhancement —
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Arus Alir Berlanjut (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Jumlah Pin — 8
Channel Mode — Enhancement
Suhu Kerja — -55 °C to +175 °C

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon