ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC300N20NM6ATMA1 توسط Infineon و ISC151N08NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC300N20NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 200V —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 6.5 A —
Power Dissipation (PD) at TC 136 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 27 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 FL
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 OptiMOS 6
Operating Mode Enhancement —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
جریان پیوسته درین (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
تعداد پین‌ها — 8
Channel Mode — Enhancement
دمای کاری — -55 °C to +175 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت