K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WC-BIWE Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4A8G085WB-BICH dari Samsung Electronics dan K4A8G085WC-BIWE dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4A8G085WB-BICH K4A8G085WC-BIWE
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
Organisasi 1G x 8 1G x 8
Tegangan Pemuat 1.2V —
Laju Data 2400 Mbps (DDR4-2400) 3200 Mbps
Paket 78-ball FBGA 78-FBGA
Suhu Kerja 0°C to 85°C —
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 8 (BL8), 4 (BC4)
Latensi CAS Programmable 22 (CL22)
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Die Revision B-die —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Rentang Suhu Kerja — -40°C to +95°C
Tipe Mounting — Surface Mount
Antarmuka — POD-12
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
Status RoHS — Compliant

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon