K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WC-BIWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICH tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WC-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organizasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Besleme Gerilimi | 1.2V | — |
| Veri Hızı | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Paket | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | — |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS Gecikme | Programmable | 22 (CL22) |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40°C to +95°C |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Arayüz | — | POD-12 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS Durumu | — | Compliant |