1ED3142MC12HXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED3142MC12HXUMA1 メーカー: Infineon および 1ED3124MC12HXUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1ED3142MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.32 $1.45
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
出力数 2 (separate source/sink) 1
Configuration Inverting, Non-Inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
パッケージ PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-8 (DSO-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
立ち上がり時間 — 15 ns
立ち下がり時間 — 30 ns
動作温度 — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET
RoHS ステータス — Compliant

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