1ED44176N01FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 比較

詳細な並列比較: 1ED44176N01FXUMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7116GXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ 1ED44176N01FXUMA1 1EDN7116GXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $0.84
機能 Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Configuration Non-inverting, single-channel, low-side —
Number of Channels 1 —
Input Compatibility CMOS, TTL —
VCC Supply Voltage Range 4.5 V to 25 V —
Peak Source Current (typ.) 0.8 A —
Peak Sink Current (typ.) 1.75 A —
Propagation Delay (typ.) 50 ns —
OCP Threshold Tolerance ±5% —
OCP Reference 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing) —
Enable Input Yes (EN, active-high) —
Fault Output Yes (FAULT, open-drain) —
動作温度 -40 C to +125 C —
パッケージ 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Family EiceDRIVER —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] MSL3
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
動作温度範囲 — -40 °C to +125 °C
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

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