1ED44176N01FXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1ED44176N01FXUMA1 제조: Infineon 및 1EDN7116GXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1ED44176N01FXUMA1 1EDN7116GXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.54 $0.84
기능 Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Configuration Non-inverting, single-channel, low-side —
Number of Channels 1 —
Input Compatibility CMOS, TTL —
VCC Supply Voltage Range 4.5 V to 25 V —
Peak Source Current (typ.) 0.8 A —
Peak Sink Current (typ.) 1.75 A —
Propagation Delay (typ.) 50 ns —
OCP Threshold Tolerance ±5% —
OCP Reference 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing) —
Enable Input Yes (EN, active-high) —
Fault Output Yes (FAULT, open-drain) —
동작 온도 -40 C to +125 C —
패키지 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Family EiceDRIVER —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] MSL3
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
동작 온도 범위 — -40 °C to +125 °C
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

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