2EDL900G3XTMA1 vs 2EDL6014ACG2DXTMA1 比較

詳細な並列比較: 2EDL900G3XTMA1 メーカー: Infineon および 2EDL6014ACG2DXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ 2EDL900G3XTMA1 2EDL6014ACG2DXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $1.18
Product Type Dual-channel level-shift gate driver IC —
Topology Supported Half-bridge, high-side, low-side —
Isolation Type Junction isolation (JI), 120 V Isolated (level-shifted floating high-side)
Number of Channels 2 (high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Drive Output Voltage Range 4 V to 16 V —
Supply Voltage (VDD/VBS) 4 V to 16 V —
Switching Device Supported Si MOSFET, enhancement-mode GaN FET —
Configurable Deadtime Yes (programmable) —
Integrated Current Sense Amplifier Yes —
PWM Modes Tri-state, HSCC HS, HSCC LS, Hi/Li, Hi/Li inverted —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V / TTL (per datasheet) —
パッケージ TSNP-16 (3x3 mm) with exposed pad 11-WQFN (2.2 x 2.2 mm) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -40 C to +125 C —
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
出力構成 — Non-Inverting
High-Side Voltage Rating — 120 V
Source Output Current — 4 A
Sink Output Current — 6 A
Supply Voltage (VDD) — 2.97 V to 5.5 V
Rise Time (typ.) — 4.2 ns
Fall Time (typ.) — 3.8 ns
動作温度 — -40 C to +125 C
Packing Method — Tape & Reel
Technology Family — EiceDRIVER 2EDL

データシート&リソース

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