2EDN7434RXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 比較

詳細な並列比較: 2EDN7434RXTMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7136GXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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2EDN7434RXTMA1 2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 - 4A Dual Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7434RXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2EDN7434RXTMA1 1EDN7136GXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $1.02
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family EiceDRIVER 2EDN —
Driver Configuration Dual-channel low-side —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Rated Output Current 4 A —
Output Resistance (Low) [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] —
Output Resistance (High) [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] —
Propagation Delay (Typ.) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL, non-inverting —
Absolute Max Input Voltage -12 V to +22 V —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VDD range] —
パッケージ PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Active Output Voltage Clamping Yes —
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
動作温度 — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

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