2EDN7434RXTMA1 vs 1EDN7136GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7434RXTMA1 par Infineon et 1EDN7136GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7434RXTMA1 1EDN7136GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,34 $1,02
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family EiceDRIVER 2EDN —
Driver Configuration Dual-channel low-side —
Number of Drivers 2 —
Peak Output Current 5 A (source/sink) —
Rated Output Current 4 A —
Output Resistance (Low) [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] —
Output Resistance (High) [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] —
Propagation Delay (Typ.) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL, non-inverting —
Absolute Max Input Voltage -12 V to +22 V —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VDD range] —
Boîtier PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Active Output Voltage Clamping Yes —
Product Type — Low-side gate driver IC
Configuration — Single channel, non-inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Target Switch — GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET
Input Logic — TTL/CMOS compatible
UVLO — Yes (VDD under-voltage lockout)
Propagation Delay — Sub-nanosecond class
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Lead-free — Yes
Input Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD range V]
Output Voltage (GaN gate) — Approximately 6 V (regulated)

Fiches techniques et ressources

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