2N7002L vs BSS169H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: 2N7002L メーカー: onsemi および BSS169H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002L BSS169H6327XTSA1
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.03 $0.15
トランジスタタイプ N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 170 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 360 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET Depletion-mode vertical DMOS
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
ピン数 — 3
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

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