2N7002L vs BSS169H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2N7002L por onsemi e BSS169H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2N7002L BSS169H6327XTSA1
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,03 $0,15
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 170 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 360 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET Depletion-mode vertical DMOS
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
Contagem de pinos — 3
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Fichas técnicas e recursos

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