2N7002L vs BSS169H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2N7002L por onsemi y BSS169H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2N7002L BSS169H6327XTSA1
Marca onsemi Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,03 $0,15
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 170 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 360 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET Depletion-mode vertical DMOS
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
Recuento de pines — 3
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

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