AS4C512M16D4-75BIN vs NT5AD512M16C4-JR 比較
詳細な並列比較: AS4C512M16D4-75BIN メーカー: Alliance Memory および NT5AD512M16C4-JR メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | AS4C512M16D4-75BIN | NT5AD512M16C4-JR |
|---|---|---|
| ブランド | Alliance Memory | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.99 | $73.75 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13) | TFBGA-96 |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| インターフェース | POD | — |
| データレート | 2666 Mbps | 1.6 GHz (DDR4-3200) |
| ピン数 | 96 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| 特長 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| メモリ構成 | — | 512M x16 |
| Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C |
| Standby Current | — | 0.023 A (max) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |