AS4C512M16D4-75BIN vs NT5AD512M16C4-JR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory e NT5AD512M16C4-JR por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | AS4C512M16D4-75BIN | NT5AD512M16C4-JR |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,99 | $73,75 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5x13) | TFBGA-96 |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Interface | POD | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 1.6 GHz (DDR4-3200) |
| Número de pinos | 96 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Recursos | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Organização da memória | — | 512M x16 |
| Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C |
| Standby Current | — | 0.023 A (max) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |