AS4C512M16D4-75BIN vs NT5AD512M16C4-JR Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory y NT5AD512M16C4-JR por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4-75BIN NT5AD512M16C4-JR
Marca Alliance Memory Nanya Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,99 $73,75
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Clock Frequency 1.333 GHz —
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Tensión de alimentación 1.2 V —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13) TFBGA-96
Temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C —
Tipo de montaje Surface Mount —
Interfaz POD —
Velocidad de datos 2666 Mbps 1.6 GHz (DDR4-3200)
Número de pines 96 —
Estado RoHS Compliant —
Características Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration —
Organización de memoria — 512M x16
Density — 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Rango de temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C
Standby Current — 0.023 A (max)
Number of Terminals — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

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