AS4C512M16D4B-62BCNTR vs K4A8G165WB-BCTD 比較

詳細な並列比較: AS4C512M16D4B-62BCNTR メーカー: Alliance Memory および K4A8G165WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AS4C512M16D4B-62BCNTR K4A8G165WB-BCTD
ブランド Alliance Memory Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.10 $37.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) —
データレート 3200 MT/s 2666 Mbps/pin (PC4-2666)
Clock Frequency 1600 MHz —
CASレイテンシ 19 ns [DATA_NEEDED: CL value]
電源電圧 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA
動作温度 0°C to 95°C 0°C to +95°C (TC)
実装タイプ Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Total Density — 8 Gb
tRCD — [DATA_NEEDED: tRCD value]
tRP — [DATA_NEEDED: tRP value]
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
ZQ Calibration — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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