AS4C512M16D4B-62BCNTR vs K4A8G165WB-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory y K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4B-62BCNTR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $37,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latencia CAS | 19 ns | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Revision | Rev.B | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |