AS4C512M16D4B-62BCNTR vs K4A8G165WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4B-62BCNTR par Alliance Memory et K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C512M16D4B-62BCNTR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $37,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latence CAS | 19 ns | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Revision | Rev.B | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |