BSC009NE2LS5IATMA1 vs IRFS7530TRLPBF 比較

詳細な並列比較: BSC009NE2LS5IATMA1 メーカー: Infineon および IRFS7530TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC009NE2LS5IATMA1 IRFS7530TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.02 $1.72
Manufacturer Part Number BSC009NE2LS5IATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 5 (25V/30V family) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Configuration Single with built-in diode —
Drain-Source Voltage (V_DS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max 20 V —
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ 1.7 V (range 1.0-2.0 V) —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.95 mΩ —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C 40 A —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C 217 A (pulsed, datasheet rating) —
Power Dissipation (P_D) @ T_A 2.5 W —
Power Dissipation (P_D) @ T_C 74 W —
Total Gate Charge (Q_G) typ 23 nC @ V_GS=0-4.5V —
Input Capacitance (C_iss) typ 3200 pF —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55 °C to +175 °C (Tj)
パッケージ PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Terminal Finish Matte Tin (e3 per JESD-609) —
Number of Terminals 8 —
RoHS ステータス Compliant —
Part Number — IRFS7530TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 2 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 375 W
パッケージ / ケース — PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Pin Configuration — 3-Pin (Gate, Drain tab, Source)
Series — StrongIRFET™

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