BSC009NE2LS5IATMA1 vs IRFS7530TRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC009NE2LS5IATMA1 от Infineon и IRFS7530TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC009NE2LS5IATMA1 | IRFS7530TRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,02 | $1,72 |
| Manufacturer Part Number | BSC009NE2LS5IATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 5 (25V/30V family) | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) max | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | 20 V | — |
| Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ | 1.7 V (range 1.0-2.0 V) | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 0.95 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C | 217 A (pulsed, datasheet rating) | — |
| Power Dissipation (P_D) @ T_A | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P_D) @ T_C | 74 W | — |
| Total Gate Charge (Q_G) typ | 23 nC @ V_GS=0-4.5V | — |
| Input Capacitance (C_iss) typ | 3200 pF | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Корпус | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Terminal Finish | Matte Tin (e3 per JESD-609) | — |
| Number of Terminals | 8 | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | IRFS7530TRLPBF |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: typical gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 375 W |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TO263-2 (D2PAK, TO-263) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (Gate, Drain tab, Source) |
| Series | — | StrongIRFET™ |