BSC009NE2LSATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC009NE2LSATMA1 メーカー: Infineon および BSC010NE2LSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC009NE2LSATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.38 | $0.92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 25V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 255 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (T_a) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_c) | 96 W | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (TJ) |
| パッケージ / ケース | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 8 | 8 |
| MSLレベル | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |