BSC009NE2LSATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC009NE2LSATMA1 от Infineon и BSC010NE2LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 0.9mOhm | Infineon

BSC009NE2LSATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET, 0.9mOhm | Infineon

BSC009NE2LSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC009NE2LSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,38 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 25V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_a 41 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_c 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) —
Pulsed Drain Current (I_DM) 255 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (T_a) 2.5 W —
Power Dissipation (T_c) 96 W —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 8
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Series / Family — OptiMOS 25V
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Корпус — PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Configuration — Single N-Channel
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену