BSC027N04LSGATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC011N03LSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC027N04LSGATMA1 BSC011N03LSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $1.32
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS™ 30 V
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
消費電力(TC=25°C) 83 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (Surface Mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
MSLレベル 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.1 mΩ (typical)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation at TC=25°C — 96 W
動作接合温度 — -55 °C to +150 °C

データシート&リソース

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