BSC027N04LSGATMA1 vs BSC011N03LSIATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC027N04LSGATMA1 от Infineon и BSC011N03LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ АктивенInfineon
BSC011N03LSIATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 1.1mΩ Power MOSFET | Infineon
BSC011N03LSIATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC027N04LSGATMA1 | BSC011N03LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,54 | $1,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS™ 30 V |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 83 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | — |
| Уровень MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.1 mΩ (typical) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 96 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +150 °C |