BSC030N03MSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC030N03MSGATMA1 メーカー: Infineon および BSC035N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC030N03MSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.43 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A 100 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 1.7 V (typ)
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
動作接合温度 -55°C to +150°C -55°C to +150°C
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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