BSC059N04LSGATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC059N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ40N06S5L050ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 - 40V 73A 5.9mOhm N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC059N04LSGATMA1 ✓ 生産中
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IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC059N04LSGATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.39 $0.71
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (super-junction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C —
パッケージ PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C]
Drain Current at T<sub>j</sub> — 90 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V — 5 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A — 6.4 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 2.2 V at 29 µA
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> — 28.2 nC
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 71 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified

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