BSC059N04LSGATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC059N04LSGATMA1 por Infineon e IAUZ40N06S5L050ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC059N04LSGATMA1 | IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,39 | $0,71 |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 73 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 16 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 1.2 V to 2.0 V (typ) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | — | 90 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | — | 5 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | — | 6.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | 2.2 V at 29 µA |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | — | 28.2 nC |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 71 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |