BSC059N04LSGATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC059N04LSGATMA1 제조: Infineon 및 IAUZ40N06S5L050ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC059N04LSGATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.39 $0.71
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (super-junction N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 73 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 16 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mOhm —
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) 1.2 V to 2.0 V (typ) —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C —
패키지 PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Channel Type N-Channel —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 60 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C]
Drain Current at T<sub>j</sub> — 90 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V — 5 mΩ
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A — 6.4 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 2.2 V at 29 µA
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> — 28.2 nC
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 71 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified

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