BSC0921NDIATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0921NDIATMA1 メーカー: Infineon および ISZ056N03LF2SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 - Dual N-Ch 30V OptiMOS 25V MOSFET | Infineon

BSC0921NDIATMA1 ✓ 生産中
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ISZ056N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon

ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon

ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0921NDIATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.49
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 25V (N-channel) —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
パッケージ PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +150C (junction) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 (per Infineon OptiMOS family) —
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Series — StrongIRFET 2
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 72 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V (typ)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 5.6 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
動作温度範囲 — -55 C to +175 C

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