BSD235CH6327XTSA1 vs SI1553DL-T1-GE3 比較

詳細な並列比較: BSD235CH6327XTSA1 メーカー: Infineon および SI1553DL-T1-GE3 メーカー: Vishay Intertechnology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Vishay Intertechnology
SI1553DL-T1-GE3 SI1553DL-T1-GE3 - Complementary 20V MOSFET Array | Vishay

SI1553DL-T1-GE3 - Complementary 20V MOSFET Array | Vishay

SI1553DL-T1-GE3 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSD235CH6327XTSA1 SI1553DL-T1-GE3
ブランド Infineon Vishay Intertechnology
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.12 $0.14
Manufacturer Infineon Technologies Vishay Siliconix
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (TJ)
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS ステータス Compliant (lead-free) —
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
ピン数 6 —
Part Number — SI1553DL-T1-GE3
Transistor Polarity — Complementary N and P Channel
Number of Channels — 2 (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-Source Voltage VDS (max) — 20 V
Continuous Drain Current ID - N-Channel — 700 mA
Continuous Drain Current ID - P-Channel — 500 mA
On-Resistance RDS(on) - N-Channel — 0.32 ohm (typ at VGS = 4.5 V)
On-Resistance RDS(on) - P-Channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) value]
Gate-Source Threshold VGS(th) — 2.5 V (max)
Gate-Source Voltage VGS (max) — [DATA_NEEDED: +/- VGS absolute maximum]
Power Dissipation PD — 340 mW
パッケージ — SC-70-6 / SOT-363-6
Process Technology — TrenchFET
Termination Finish — Lead-free (Pb-free), Halogen-free
RoHS Compliance — Compliant per Directive 2002/95/EC
ハロゲンフリー — Yes (per IEC 61249-2-21)

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