BSL308CH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSL308CH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP92PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSL308CH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.21 $0.31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
パッケージ PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product family convention) —
トランジスタタイプ — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -250 V
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
動作温度 — -55C to +150C (Tj)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
ピン数 — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

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