BSL308CH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSL308CH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSP92PH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSL308CH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.21 $0.31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Configuration Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) —
패키지 PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) 2.3 A —
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) 2 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] —
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] —
Total Gate Charge (Qg) 5 nC @ 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 18 pF —
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Automotive Qualified Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes (per Infineon product family convention) —
트랜지스터 유형 — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -250 V
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
동작 온도 — -55C to +150C (Tj)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
핀 수 — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

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