BSP295H6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP295H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSL606SNH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP295H6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.35 $0.19
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
パッケージ PG-SOT223-4 (3 leads + tab) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free plating)
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET OptiMOS3 trench MOSFET
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

データシート&リソース

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