BSP295H6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSP295H6327XTSA1 от Infineon и BSL606SNH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSP295H6327XTSA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,35 | $0,19 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | 1.8 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 300 mΩ | — |
| Корпус | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (Tj) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Tape and Reel Packing Code | H6327 (7-inch reel) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | Planar N-channel MOSFET | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Drain Tab Connection | Pin 4 (tab) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |