BSR316PH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSR316PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP92PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 - 100V P-Ch MOSFET 360mA SC-59 | Infineon

BSR316PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSR316PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.22 $0.31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type P-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
パッケージ PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) —
Qualification Automotive —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル 1 1 (unlimited)
Polarity P-Channel —
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
トランジスタタイプ — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
動作温度 — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
ピン数 — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼