BSR316PH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSR316PH6327XTSA1 von Infineon und BSP92PH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSR316PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type P-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Gehäuse PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) —
Qualification Automotive —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 1 (unlimited)
Polarity P-Channel —
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Transistortyp — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
Betriebstemperatur — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Pin-Anzahl — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

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