BSR316PH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSR316PH6327XTSA1 por Infineon e BSP92PH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSR316PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,22 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR316PH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type P-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) at TA -360 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] —
On-State Resistance RDS(on) max 1800 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.7 V typical, -2.5 V max —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (Tc) 500 mW —
Encapsulamento PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Qualification Automotive —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 1 (unlimited)
Polarity P-Channel —
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
Temperatura de operação — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Contagem de pinos — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

Fichas técnicas e recursos

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