BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS127H6327XTSA2 メーカー: Infineon および BSS87H6327FTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ 生産中
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS127H6327XTSA2 BSS87H6327FTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.03 $0.18
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) 260 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
パッケージ SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 3 (Gate / Drain / Source)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス Compliant (lead-free) Compliant
ハロゲンフリー Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

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