BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSS127H6327XTSA2 제조: Infineon 및 BSS87H6327FTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSS127H6327XTSA2 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.03 | $0.18 |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +150 C | — |
| 패키지 | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 | 3 (Gate / Drain / Source) |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free) | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |