BSZ031NE2LS5ATMA1 vs IRLH5030TRPBF 比較

詳細な並列比較: BSZ031NE2LS5ATMA1 メーカー: Infineon および IRLH5030TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSZ031NE2LS5ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ031NE2LS5ATMA1 IRLH5030TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.26 $1.15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number BSZ031NE2LS5ATMA1 IRLH5030TRPBF
Technology / Platform OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 19 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 3.1 mOhm —
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation at Tc=25C 30 W —
動作接合温度 -55 C to +150 C —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL] —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)
Power Dissipation at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 156 W
Thermal Resistance to PCB (RthJC) — 0.8 C/W
Profile Height — ≤ 0.9 mm
Qualification — JEDEC standard
Rg Tested — 100%
RoHS Compliance — Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free)
Industry-Standard Pinout — Yes

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