BSZ065N03LSATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 比較
詳細な並列比較: BSZ065N03LSATMA1 メーカー: Infineon および IPG20N06S2L65AATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSZ065N03LSATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.38 | $0.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| パッケージ / ケース | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS Trench MOSFET |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (junction) | — |
| MSLレベル | 1 | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| 動作温度 | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |