BSZ065N03LSATMA1 vs IPG20N06S2L65AATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ065N03LSATMA1 por Infineon e IPG20N06S2L65AATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSZ065N03LSATMA1 | IPG20N06S2L65AATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,38 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 30V | OptiMOS |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 12 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 26 W | — |
| Encapsulamento / Caixa | PG-TSDSON-8-FL (S308) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS Trench MOSFET |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | — |
| Nível MSL | 1 | MSL1 (peak reflow 260 C) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Gate Drive (typical) | 4.5 V | — |
| FET Type | — | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (per channel) |
| Power Dissipation (PD) | — | 43 W |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | Logic-Level |
| Encapsulamento | — | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) |
| Temperatura de operação | — | -55 C to +175 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% (per datasheet) |
| AOI Compatible | — | Yes (wettable flank) |