BSZ0901NSIATMA1 vs BSZ0904NSIATMA1 比較

詳細な並列比較: BSZ0901NSIATMA1 メーカー: Infineon および BSZ0904NSIATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSZ0904NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-FET SyncFET | Infineon

BSZ0904NSIATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSZ0901NSIATMA1 BSZ0904NSIATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.34 $0.49
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSZ0901NSIATMA1 —
Series OptiMOS 25V —
Technology OptiMOS trench N-channel MOSFET OptiMOS (N-channel power MOSFET)
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 25 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 40 A 40 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 69 W —
パッケージ PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3x3.3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (typical MOSFET range) -55C to +150C
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 4 mOhm
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Power Dissipation at Ta — 2.1 W
Power Dissipation at Tc — 37 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Integrated Schottky-like Diode — Yes (monolithic)
Avalanche Rated — 100% avalanche tested
Qualification — JEDEC qualified for target applications
Lead Plating — Pb-free
ハロゲンフリー — Yes

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