CY62167EV30LL-45BVXI vs CY62168EV30LL-45BVXI 比較

詳細な並列比較: CY62167EV30LL-45BVXI メーカー: Infineon および CY62168EV30LL-45BVXI メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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CY62168EV30LL-45BVXI CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ CY62167EV30LL-45BVXI CY62168EV30LL-45BVXI
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.78 $3.75
メモリタイプ Asynchronous SRAM (MoBL®) Volatile SRAM (asynchronous)
Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
メモリ構成 1M × 16 / 2M × 8 (BYTE-pin configurable) 2M × 8
Access Time 45 ns 45 ns
Supply Voltage (VCC) 2.2 V to 3.6 V —
Active Current (1 MHz typical) 2 mA —
インターフェース Parallel, asynchronous —
動作温度 -40 °C to +85 °C (Industrial) -40 °C to +85 °C (Industrial)
パッケージ 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1 mm) 48-ball VFBGA (6 x 8)
Package Code BV48 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current µA] —
Byte Pin Yes (BYTE# for ×8 / ×16 selection) —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Memory Family — MoBL (Micropower) SRAM
メモリサイズ — 16 Mbit (2 M × 8)
Operating Voltage Range — 2.20 V to 3.60 V
Maximum Operating Voltage — 3.60 V
Minimum Operating Voltage — 2.20 V
Standby Current (typical) — 1.5 µA
Standby Current (maximum) — 12 µA
Active Current (typical @ 1 MHz) — 2.2 mA
インターフェースタイプ — Parallel (asynchronous)
Chip Enable — CE1# (active low), CE2 (active high)
Write Enable — WE# (active low)
Output Enable — OE# (active low)

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