CY62167EV30LL-45BVXI vs CY62168EV30LL-45BVXI 비교
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Infineon
CY62167EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 1M×16/2M×8 VFBGA-48 | Infineon
CY62167EV30LL-45BVXI ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | CY62167EV30LL-45BVXI | CY62168EV30LL-45BVXI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.78 | $3.75 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM (MoBL®) | Volatile SRAM (asynchronous) |
| Density | 16 Mbit (16,777,216 bits) | — |
| 메모리 구성 | 1M × 16 / 2M × 8 (BYTE-pin configurable) | 2M × 8 |
| Access Time | 45 ns | 45 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.2 V to 3.6 V | — |
| Active Current (1 MHz typical) | 2 mA | — |
| 인터페이스 | Parallel, asynchronous | — |
| 동작 온도 | -40 °C to +85 °C (Industrial) | -40 °C to +85 °C (Industrial) |
| 패키지 | 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1 mm) | 48-ball VFBGA (6 x 8) |
| Package Code | BV48 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current µA] | — |
| Byte Pin | Yes (BYTE# for ×8 / ×16 selection) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Memory Family | — | MoBL (Micropower) SRAM |
| 메모리 크기 | — | 16 Mbit (2 M × 8) |
| Operating Voltage Range | — | 2.20 V to 3.60 V |
| Maximum Operating Voltage | — | 3.60 V |
| Minimum Operating Voltage | — | 2.20 V |
| Standby Current (typical) | — | 1.5 µA |
| Standby Current (maximum) | — | 12 µA |
| Active Current (typical @ 1 MHz) | — | 2.2 mA |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel (asynchronous) |
| Chip Enable | — | CE1# (active low), CE2 (active high) |
| Write Enable | — | WE# (active low) |
| Output Enable | — | OE# (active low) |