CY62167EV30LL-45BVXI vs CY62168EV30LL-45BVXI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CY62167EV30LL-45BVXI par Infineon et CY62168EV30LL-45BVXI par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
CY62168EV30LL-45BVXI CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre CY62167EV30LL-45BVXI CY62168EV30LL-45BVXI
Marque Infineon Infineon
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,78 $3,75
Type de mémoire Asynchronous SRAM (MoBL®) Volatile SRAM (asynchronous)
Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
Organisation de la mémoire 1M × 16 / 2M × 8 (BYTE-pin configurable) 2M × 8
Access Time 45 ns 45 ns
Supply Voltage (VCC) 2.2 V to 3.6 V —
Active Current (1 MHz typical) 2 mA —
Interface Parallel, asynchronous —
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C (Industrial) -40 °C to +85 °C (Industrial)
Boîtier 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1 mm) 48-ball VFBGA (6 x 8)
Package Code BV48 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current µA] —
Byte Pin Yes (BYTE# for ×8 / ×16 selection) —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Memory Family — MoBL (Micropower) SRAM
Taille de mémoire — 16 Mbit (2 M × 8)
Operating Voltage Range — 2.20 V to 3.60 V
Maximum Operating Voltage — 3.60 V
Minimum Operating Voltage — 2.20 V
Standby Current (typical) — 1.5 µA
Standby Current (maximum) — 12 µA
Active Current (typical @ 1 MHz) — 2.2 mA
Type d'interface — Parallel (asynchronous)
Chip Enable — CE1# (active low), CE2 (active high)
Write Enable — WE# (active low)
Output Enable — OE# (active low)

Fiches techniques et ressources

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