E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16TB-062E 比較
詳細な並列比較: E3AD8G16A4-HR メーカー: ELIXIR/NANYA および MT40A512M16TB-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | E3AD8G16A4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| ブランド | ELIXIR/NANYA | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.60 | $60.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| パッケージ | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| データレート | 3200 MT/s | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| CASレイテンシ | 22 | — |
| Burst Length | 8 (BC4 optional) | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| 動作温度 | 0C to +95C (TCASE) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-3200 | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| インターフェース | — | Parallel |
| 特長 | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |