E3AD8G16A4-HR vs MT40A512M16TB-062E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок E3AD8G16A4-HR от ELIXIR/NANYA и MT40A512M16TB-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр E3AD8G16A4-HR MT40A512M16TB-062E
Бренд ELIXIR/NANYA Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,60 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gb —
Напряжение питания 1.2 V —
Корпус TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13 mm)
Скорость передачи данных 3200 MT/s 1600 MHz (DDR4-3200)
Задержка CAS 22 —
Burst Length 8 (BC4 optional) —
Number of Banks 16 (4 bank groups) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Рабочая температура 0C to +95C (TCASE) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-3200 —
Размер памяти — 8 Gbit
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
tRCD — 19 ns
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Диапазон рабочих температур — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
Интерфейс — Parallel
Особенности — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
Статус RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену